elektrik port üyelik servisleri elektrik port üyelik servisleri

Silisyum Transistör Devri Sona Mı Eriyor ?

Yıllardan beri transistörlerde kullanılan silisyum yarı iletken malzemesinin devri sona erecek gibi gözüküyor. Tahtın yeni sahibi, MIT araştırmacıları tarafından geliştirilen, şimdiye kadar yapılmış en küçük indiyum galyum arsenik transistör olabilir.



A- A+
15.12.2012 tarihli yazı 7397 kez okunmuştur.
Silisyum transistörler nanometre boyutlarına indirgenmiştir fakat aynı zamanda bu cihazların ürettikleri akım miktarlarını küçültmektedir ve çalışma hızlarını sınırlandırmaktadır. Intel şirketinin kurucusu Gordon Moore 1965 yılında transistörler hakkında: “Mikroişlemciler içindeki transistör sayısı her iki yılda bir iki katına çıkacaktır” demiştir. Bu yeni geliştirilen transistörün yapımında yer alan Jesus del Alamo ise Moore Yasasının yani Gordon Moore’nin öngörüsünün kısa bir zaman içinde geçerliliğini yitireceğini belirtiyor.
 

 

Yeni Nesil Transistör


MIT Mikrosistem Teknoloji Laboratuarlarında bir ekip tarafından inşa edilen bu bileşik transistörün uzunluğu sadece 22 nanometre (metrenin milyarda biri) olmasına rağmen iyi bir performans sergiliyor.  Jesus del Alamo bu işlem cihazlarının silisyumun yerine gelebilecek, gelecek vaat eden bir aday yaptığını belirtiyor.

Araştırmacılar bir süredir Moore Yasasını canlı tutmak için, küçük ölçekli olan ve silisyuma alternatif daha büyük akımlar üretebilen cihazlar üzerinde çalışıyorlar. Hali hazırda fiber-optik iletişim ve radar teknolojilerinde de kullanılan ve son derece iyi elektriksel özelliklere sahip olduğu bilinen bileşiğin indiyum galyum arsenik olduğu belirtiliyor. 




-İnce indiyum galyum arsenik filmi-

 
Araştırmacılar ilk önce molekül ışınlı bırakım (moleküler ışın epitaksi) yöntemini kullanarak ince bir film ürettiler. Bu yöntem yarıiletken endüstrisinde çok kullanılan bir yöntemdir. Buharlaştırılmış olan indiyum, galyum ve arsenik atomları bir vakum içinde birbirleriyle reaksiyona girerek tek-kristal bileşik oluştururlar. Bu bileşiğin elektriksel olarak çok iyi bir performans gösterdiği ve nispeten silisyum transistörlere göre daha hızlı olduklarını kaydediyorlar.

Cihazı daha da geliştirmek için çalışmalara devam eden araştırmacılar, cihaz içerisindeki istenmeyen direnci ortadan kaldırarak cihazın hem elektrik performansını artırmaya hem de cihazı hızlandırmaya çalışıyorlar. Bu çalışmaların sonucunda elde edecekleri yeni transistörün silisyum transistörün pabucunu dama atacağını düşünüyorlar.

Kaynak: MIT News


ANKET
Endüstri 4.0 için En Hazır Sektör Hangisidir

Sonuçlar